.png)
IBM 開發出 2 奈米製程，採用環繞閘極（GAA）技術架構，效能號稱較 7 奈米 提升 45%，預計於 2024 年投入量產。現今 20 奈米以下的先進製程採用 FinFET 鰭式場效電晶體，因為物理極限，未來 3奈米 或 2奈米 預計採用環繞閘極（GAA）技術。
在先進製程領域原本領先的台積電、三星，突然半路殺出 IBM 這個競爭對手──曾經的半導體製造大廠。IBM 預計於 2024 年量產 2 奈米，這樣的時間與台積電 2 奈米 量產時間相近，等於正面對決台積電。但，真的可以這麼順利嗎？
IBM 開發的這項技術，許多人猜測可能授權三星進行投產；若真的授權三星，將可達成三星之前的目標，超車台積電。我預測 IBM 也極有可能將這項技術販賣給世界前五大晶圓代工廠格羅方德 Global Foundries，雖然先前格羅方德曾宣布放棄先進製程，但過去 IBM 曾將晶圓代工部門售予格羅方德，因此也是潛在買家之一。
製程微縮固然重要，但回顧過去幾場著名的半導體戰役，就可以發現影響 IC 好壞不只有製程微縮，更包含實際效能及良率。
2021 年初，高通 S888 翻車的消息傳遍科技圈，S888 是高通在 2021 年發表的最新 5G 旗艦級 SoC，採用三星 5 奈米 技術；然而經過實測，跑分確實小勝上一代由台積電在 2020 年初生產的 7 奈米 工藝 S865 5G 旗艦級 SoC，但 S888 功耗卻大幅高於 S865，導致使用上溫度容易飆升。正常情況下，製程微縮將降低功耗或是提升效能，明顯看來，三星的 5 奈米 工藝相較於台積電的 7 奈米，並沒有讓晶片功耗有效降低，同時效能提升也不符合預期。因此在關注製程微縮時，實際量產的表現更為重要。
從技術開發到量產，中間需要經歷許多關卡，IBM 過去在 2015 年就發表 7 奈米 工藝，然而直至 2020 年才實際量產。在技術研發後需要將技術導入工廠，經歷風險性試產，待良率提升後才能正式放量投產，從初期的良率 4 成上下爬升至 9 成左右。先進製程因為工藝複雜程度大幅提升、導致初期良率不高，需要靠大量投產累積經驗，才有機會加快學習曲線。這次 Nvidia 的 RTX 30 Series 大缺貨，就有人將矛頭指向負責代工的三星，認為三星 8 奈米 技術良率不高，加上市場需求爆發，才形成這次的大缺貨。三星過去學習曲線較慢，造成良率較低，因此 IC 設計公司在選擇晶圓代工時，也會考量良率，避免缺貨風險。
IBM 這項技術研發對於晶圓代工奈米工藝非常重要，未來可以持續關注該技術會被哪間晶圓代工廠買下；但在關注製程微縮的同時，不能忽略效能及良率的重要性，沒有量產性的技術，在商業上較難實現獲利。